日前,ON Semiconductor(安森美半導體)與LSI公司達成的協(xié)議，進一步擴充ASIC系列。這協(xié)議讓安森美半導體的客戶能夠通過設在美國俄勒岡州Gresham的安森美半導體晶圓制造廠，獲得成熟及高性價比的110納米工藝技術，及相關的經過硅驗證的知識產權(IP)。

　　該110納米“系統(tǒng)平臺”SP110為客戶提供高密度、高性能的技術，并比類似技術將一次性工程(NRE)成本減至最低，且將上市時間縮至最短。SP110最高的工作頻率為450兆赫， IP陣容豐富，能夠滿足90納米或更小節(jié)點技術的眾多性能和功能要求，省卻這些技術的開發(fā)成本及工藝經常費用。此外，SP110提供比某些主流130納米技術更優(yōu)的性能及更低的能耗。

　　SP110結合工藝優(yōu)勢、豐富的IP選擇及技術支援，滿足通信、消費、工業(yè)及醫(yī)療等市場的客戶需求。SP110方案非常貼合軍事及航空應用，充分發(fā)揮基于美國的設計和制造優(yōu)勢，端到端地符合國際武器貿易規(guī)章(ITAR)要求，還會遵從QML和AS9100等專門的軍事/航空質量標準。

　　根據(jù)與LSI達成的協(xié)議條款，安森美半導體將提供廣泛的IP系列，包括支持PCI Express、千兆位以太網(GbE)和10Gbps連接單元接口(XAUI)等接口標準的串行解串器(SerDes)方案。SP110客戶還將能夠利用安森美半導體其它經過硅驗證、可綜合的IP陣容，包括用于USB 2.0、以太網媒體訪問控制器(MAC)、微控制器、時序產生器和DDR 1/2/3存儲器控制器等的IP模塊。

　　SP110利用低K銅互連技術，提供達9個金屬層，包括2個重分布層(RDL)。該技術支持1.2V的內核電壓及1.8V、2.5V、3.3V和5.0V的輸入/輸出(I/O)電壓。安森美半導體提供SP110的網表及寄存器傳輸級(RTL)交遞法，確保為設計人員提供最大的靈活性。